Ilustrasi.
JAKARTA - Dalam perkembangan yang dapat membentuk kembali perlombaan semikonduktor global, Huawei mengajukan paten yang menguraikan jalur menuju produksi chip kelas 2 nm hanya dengan menggunakan alat litografi ultraviolet dalam (DUV). Huawei hanya dapat mengakses peralatan litografi DUV karena kontrol ekspor Barat memblokir ketersediaan mesin ultraviolet ekstrem (EUV) dari ASML, yang biasanya digunakan dan dianggap sebagai satu-satunya cara membuat chip fabrikasi 2 nm.
Paten tersebut, yang awalnya diajukan pada 2022 tetapi baru-baru ini dipublikasikan dan ditemukan oleh peneliti semikonduktor veteran Dr. Frederick Chen, menjelaskan teknik multipola canggih yang memungkinkan Huawei dan mitra manufakturnya, SMIC, mencapai pitch logam 21 nm yang sangat rapat—dimensi kritis yang menempatkan node yang dihasilkan setara dengan proses “kelas 2 nm” yang sedang disiapkan oleh TSMC dan Samsung, yang keduanya sangat bergantung pada litografi EUV.
Dilansir Gizmochina, inti dari pendekatan Huawei adalah alur Self-Aligned Quadruple Patterning (SAQP) yang dioptimalkan. Hal ini dilaporkan mengurangi jumlah paparan DUV yang diperlukan menjadi hanya empat, sebuah peningkatan signifikan dibandingkan skema multipola konvensional yang sering kali membutuhkan lebih banyak lintasan dan meningkatkan kompleksitas secara drastis.
Dengan mendorong infrastruktur DUV yang ada hingga batas maksimal, perusahaan ini bertujuan untuk beralih langsung dari Kirin 9030 yang baru didemonstrasikan (dibuat pada node N+3 SMIC) ke penawaran generasi 2 nm di masa mendatang tanpa perlu menyentuh perangkat EUV yang terbatas.
